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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5784 个

  • 功率MOSFET:

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    功率MOSFET:

    www.kiaic.com/article/detail/281.html         2018-03-28

  • MOS存储器结构

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    MOS存储器结构

    www.kiaic.com/article/detail/282.html         2018-03-28

  • 金半场效应晶体管MESFET|器件结构:

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    金半场效应晶体管MESFET|器件结构:

    www.kiaic.com/article/detail/283.html         2018-03-28

  • 智能的觉醒”国产手机芯片之路还有多久?

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    智能的觉醒”国产手机芯片之路还有多久?

    www.kiaic.com/article/detail/285.html         2018-03-28

  • 硅与化合物半导体太阳能电池

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    硅与化合物半导体太阳能电池

    www.kiaic.com/article/detail/288.html         2018-03-28

  • 非晶硅太阳能电池( amorphous si solar cell)

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    非晶硅太阳能电池( amorphous si solar cell)

    www.kiaic.com/article/detail/289.html         2018-03-28

  • 串联式太阳能电池(tandem solar cell)

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    串联式太阳能电池(tandem solar cell)

    www.kiaic.com/article/detail/295.html         2018-03-28

  • 电子成材器件以及如何让电阻集成的原因

    为了构成集成电路电阻,可以淀积一层具有阻值的薄膜在硅衬底上,然后运用图形曝光技术和刻蚀定出其图样,也可以在生长于硅衬底上的热氧化层上开窗,然后写入(或是涣散)相反导电型杂质到晶片内,图14.3闪现运用后者方法构成的两个电阻的顶视图和截面图,一个是...

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    www.kiaic.com/article/detail/296.html         2018-03-28

  • 场效应管|装配和焊接操作时的注事项

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    场效应管|装配和焊接操作时的注事项

    www.kiaic.com/article/detail/272.html         2018-03-28

  • MOS管选型要求?PMOS与NMOS的栅极解决方法

    在CMOS中,阱可为单阱(single well)、双阱(twin well)或是倒退阱(retrograde well).双阱工艺有一些缺陷,如需高温工艺(超越1 050℃)及长扩散时间(超越8h)来到达所需2μm~31'm的深度,在这个工艺中,外表的掺杂浓度是最高的,掺杂浓度随着深度递加,为了...

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    www.kiaic.com/article/detail/297.html         2018-03-28

  • 功率开关MOS管器件的驱动电路是什么原理?

    功率开关器件在电力电子设备中占领着中心位置,它的牢靠工作是整个安装正常运转的根本条件。功率开关器件的驱动电路是主电路与控制电路之间的接口,是电力电子安装的重要局部。它对整个设备的性能有很大的影响,其作用是将控制回路输出的控制脉冲放大到足以驱动...

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    www.kiaic.com/article/detail/298.html         2018-03-28

  • mos器件漏极偏压详解原因 n沟道MOSFET

    MOSFET按比例减少MOSFET尺寸的缩减在一开端即为一持续的趋向.在集成电路中,较小的器件尺寸可到达较高的器件密度,此外,较短的沟道长度町改善驱动电流(ID~1/L)以及工作时的特性,但是,由于器件尺寸的缩减,沟道边缘(如源极、漏极及绝缘区边缘)的扰动将变...

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    www.kiaic.com/article/detail/300.html         2018-03-28

  • MOS管损坏是什么原因 开关耗损详细原因

    mos在控制器电路中的工作状态:开经过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开经过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流惹起的,这个忽略不计),还有雪崩能...

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    www.kiaic.com/article/detail/301.html         2018-03-28

  • 如何选用三极管和MOS管

    (1)MOS管是电压控制元件,而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的状况下,应选用MOS管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用三极管。(2)电力电子技术中提及的单极器件是指只靠一种载流子导电的器件,双极器件是指靠两种...

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    www.kiaic.com/article/detail/304.html         2018-03-28

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